精抛光工艺参数对硅片表面有什么样的影响规律。平面抛光机了解到精抛光的主要目的是去除前道工序留下的损坏层，因此抛光去除量的大小直接影响硅片表面的Haze值。同时由于抛光的过程中存在机械去除和化学去除两种机制，而这两种机制的匹配程度也对硅片表面的Haze值有着重要影响，当机械去除作用占主导地位时，硅片表面Haze值较小，但是如果机械去除作用占主导地位时，硅片表面Haze值较小，但机械去除作用过大时，会造成硅片表面的局部损坏，如划伤等，当化学去除作用占主导地位时，硅片表面会发生过度腐蚀的现象，造成硅片表面Haze值较大。

现在社会发展电路发展的越来越快，硅片的Haze值数对于现代半导体器件工艺的影响也越来越受到各种各样的人的不断重视，方达研磨在实验研究出精抛光工艺参数对硅片表面的影响。结果表明，随着抛光时间的不断延迟，硅的去除量也会逐渐的增大，硅片表面Haze值逐渐降低，同时抛光过程中机械作用与化学作用的协同作用对Haze值也有较大影响。随着抛光液温度的降低与抛光液体积的不断减小，化学作用从而减弱，硅片表面的Haze值也随着不断减小，抛光压力的不断增大，机械作用从而起到主导的作用，硅片表面的Haze值也逐渐的降低。随着硅去除量的增大 抛光液温度的下降 抛光液体积流量的降低 抛光压力的增大 硅片表面Haze值基本是保持不变的。